DTB結晶器是一種晶漿內循環(huán)結晶器。它的典型特點是結晶器內部有攪拌器、導流筒和擋板，以及配套的換熱裝置、細晶消除裝置。
 

          晶漿料液通過內置的攪拌器從內導流筒的底部上升，至液面處與過飽和度較大的區(qū)域接觸，消耗掉過飽和度。又沿著內導流筒和外導流筒之間的環(huán)形局域下降，在結晶器筒體和外導流筒之間的環(huán)隙處，晶漿液和澄清液分離，晶漿液繼續(xù)向下循環(huán)。澄清液從外環(huán)隙進入細晶消除裝置溶解掉過量的細小晶核，這保證了晶核不會過量，使得晶體的粒度分布較均勻。
 

         在蒸發(fā)結晶過程中,過飽和度的產生速率取決于蒸發(fā)速率,即設備的蒸發(fā)強度。蒸發(fā)強度愈大,其產生過飽和度的速度愈快,越易形成過高的過飽和度。而過飽和度的消除主要依賴于晶體的自發(fā)成核和晶體的成長過程。如果在結晶器內,具有足夠的晶體表面和較快的成長速率,由于蒸發(fā)所產生的過飽和度,能全部成長在晶體表面上,溶液的過飽和度不會因為超過溶液的較大過飽和度而使溶質以成核過程來消除過飽和度,從而不會產生大量的晶核。
 

       如果溶液中晶體表面不足,晶體的生長不足以消除由于蒸發(fā)所產生的過飽和度,使得溶液的過飽和度過高,而處于不穩(wěn)定區(qū)域,溶液的過飽和度將以自發(fā)成核過程來消耗過飽和度,從而形成大量的細小顆粒。因而需要對蒸發(fā)結晶過程中的蒸發(fā)強度進行控制，使結晶體系的過飽和度始終處于結晶介穩(wěn)區(qū)之內，從而保證所設計的蒸發(fā)結晶設備能生產出符合設計任務要求的產品。
 

        晶體在生長區(qū)的停留時間越長,晶體生長的時間越長,晶體粒度越大。大粒度晶體的生成需要有足夠的生長時間。我們將在準確的結晶動力學數(shù)據(jù)的基礎上,根據(jù)晶體生長速率和設計任務中所要求的粒度設計成合適的DTB結晶器。

在原有DTB結晶器的基礎上，康景輝對該結晶器做了大量改進，使得其更加符合實際生產的工況。

操作方法：有連續(xù)結晶、間歇結晶

結晶方法：水冷卻結晶、蒸發(fā)結晶、冷凍結晶、真空結晶

設計方法：MDP2017